IBM三星开发VTFET芯片技术 性能提高200%
发布时间：2021-12-13 14:59:07 所属栏目：动态 来源：互联网
导读：目前半导体工艺已经发展到了5nm，明年三星台积电都在抢3nm工艺首发，之后还会有2nm工艺，再之后的1nm节点又是个分水岭了，需要全新的半导体技术。 IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片，现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果，推出
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目前半导体工艺已经发展到了5nm，明年三星台积电都在抢3nm工艺首发，之后还会有2nm工艺，再之后的1nm节点又是个分水岭了，需要全新的半导体技术。 IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片，现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直传输场效应晶体管）技术，它与传统晶体管的电流水平方向传输不同，是垂直方向传输的，有望进军1nm及以下工艺。 这个技术要是量产了，那么芯片的能效比是大幅提升的，智能手机充电一次可使用两周，不过三星及IBM依然没有公布VTFET工艺的量产时间，所以还是要等——反正革命性的电池及革命性的芯片技术实现一个就能让手机续航质变。 （编辑：南平站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
