14纳米工艺，三星开始用EUV技术批量生产DDR5内存芯片
发布时间：2021-11-03 08:47:42 所属栏目：通讯 来源：互联网
导读：10月12日消息，据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。继去年3月出货业界首款EUV DRAM之后，三星电子已将EUV层的数量增加到5层
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10月12日消息，据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。
继去年3月出货业界首款EUV DRAM之后，三星电子已将EUV层的数量增加到5层，为其DDR5解决方案提供当今最精细、最先进的DRAM生产工艺。
DDR5是下一代DRAM标准，与DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能（AI）和机器学习等数据密集型应用进行了优化。
三星电子表示，EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的产量，并缩短了开发时间。
三星电子还称，即将开始量产DDR5，并预计最新的工艺将使生产率提高20%，能耗降低近20%。利用最新的DDR5标准，三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度，这是DDR4速度的2倍多。
三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Lee Joo-Young称：“通过专注关键的图形技术创新，我们已经引领了DRAM市场近30年。今天，三星用多层EUV实现了另一个技术里程碑，这是传统的氟化氩(ARF)工艺所不可能实现的壮举。”
他补充说：“在这一进步的基础上，我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案，充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。” （编辑：南平站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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